JUNDA Silicon Carbide GLARIBUS est durissima inspiratione media available. Hoc summus qualis productum est fabricari ad blocky, angulares grano figura. Hoc instrumentis et conteram usque continue consequens acri, secans marginibus. Durness Silicon Carbide GLAREUS concedit pro brevioribus inspiratione temporibus relative ad mollior Medias.
Ob suam firmum eget proprietatibus, princeps scelerisque conductivity, humilis scelerisque expansion coefficient, et bonum gerunt resistentia, silicon carbide habet multa alia usus praeter quod abrasives. Exempli gratia, Silicon carbide pulveris applicantur ad impulsor aut cylindri aqua turbine per specialem processus. In interiore muro potest amplio eius gerunt resistentia et protrahendum suum servitium vitae a I ad II temporibus; Et summus gradus refracty materiam factum ex eo habet calor inpulsa resistentia, parva magnitudine, lux pondus, princeps vires et bonum industria, salvis effectus. Humilis-gradu Silicon Carbide (quibus de LXXXV% of Sic) est optimum Deioxidizer. Potest accelerare sursum in steelmaking celeritate et facilitate imperium chemical compositionem et amplio qualitas ferro. In addition, Silicon carbide est etiam late ad Silicon carbide virgas ad electrica calefacere elementa.
Silicon carbide habet valde altus duritia, cum Mohs duritia de 9.5, secundo tantum ad mundi durissima Diamond (X). Habet optimum scelerisque conductivity est semiconductor, et potest resistere oxidatio ad altum temperaturis.
Ob suam firmum eget proprietatibus, princeps scelerisque conductivity, humilis scelerisque expansion coefficient, et bonum gerunt resistentia, silicon carbide habet multa alia usus praeter quod abrasives. Exempli gratia, Silicon carbide pulveris applicantur ad impulsor aut cylindri aqua turbine per specialem processus. In interiore muro potest crescere eius gerunt resistentiam et protrahendum suam muneris vitae a I ad II tempora; Refractory materiam factum ex eo habet calor inpulsa resistentiam, parva magnitudine, lux pondus, princeps virtutis et bonum industria, salvis effectus. Humilis-gradu Silicon Carbide (quibus de LXXXV% of Sic) est optimum Deioxidizer. Potest accelerare sursum in steelmaking celeritate et facilitate imperium chemical compositionem et amplio qualitas ferro. In addition, Silicon carbide est etiam late ad Silicon carbide virgas ad electrica calefacere elementa.
Silicon Carbide GLAREBRIS Specifications | |
Mesh magnitudine | Mediocris particula magnitudine(Minor ad Mesh numerus, in coarer in GLARE) |
8Mesh | XLV% VIII mesh (2.3 mm) vel maior |
10mesh | XLV% X mesh (2.0 mm) vel maior |
12Mesh | XLV% XII mesh (1.7 mm) vel maior |
14mesh | XLV% XIV mesh (1.4 mm) vel maior |
16Mesh | XLV% XVI mesh (1.2 mm) vel maior |
20Mesh | LXX% XX mesh (0.85 mm) vel maior |
22Mesh | XLV% XX mesh (0.85 mm) vel maior |
24Mesh | XLV% XXV reticulum (0.7 mm) vel maior |
30mesh | XLV% XXX mesh (0.56 mm) vel maior |
36Mesh | XLV% XXXV reticulum (0.48 mm) vel maior |
40mesh | XLV% XL mesh (0.42 mm) vel maior |
46mesh | XL% XLV mesh (0,35 mm) vel maior |
54mesh | XL% L mesh (0,33 mm) vel maior |
60mesh | XL% LX mesh (0,25 mm) vel maior |
70mesh | XL% LXX reticulum (0,21 mm) vel maior |
8Mesh | XL% LXXX mesh (0.17 mm) vel maior |
90mesh | XL% C mesh (0.15 mm) vel maior |
100mesh | XL% CXX mesh (0.12 mm) vel maior |
120mesh | XL% CXL mesh (0,10 mm) vel maior |
150mesh | XL% CC mesh (0.08 mm) vel maior |
180mesh | XL% CCXXX reticulum (0.06 mm) vel maior |
220mesh | XL% CCLXX mesh (0.046 mm) vel maior |
240mesh | XXXVIII% CCCXXV mesh (0.037 mm) vel maior |
280mesh | Mediana: 33.0-36.0 Micron |
320Mesh | Mediana: 26.3-29.2 micron |
360mesh | Mediana: 20.1-23.1 Micron |
400mesh | Mediana: 15.5-17.5 micron |
500mesh | Mediana: 11.3-13.3 Micron |
600mesh | Mediana: 8.0-10.0 micron |
800mesh | Mediana: 5.3-7.3 micron |
1000mesh | Mediana: 3.7-5.3 micron |
1200mesh | Mediana: 2.6-3.6 Micron |
PRoduct Nomen | Typical physica proprietatibus | Proximate eget analysis | |||||||
Silicon Carbide | Colo | FRUMENTUM | Magnetica | Durities | Specifica gravitas | SIC | 98.58% | Fe | 0.11% |
Niger | Angularis | 0,2 - 0.5% | 9,5 Mohs | 3.2 | C | 0.05% | Al | 0.02% | |
Si | 0,80% | CAO | 0.03% | ||||||
Sio2 | 0,30% | Mgo | 0.05% |